2025年1月9日消息，國家知識產權局信息顯示，新存科技(武漢)有限責任公司申請一項名為“半導體結構的制造方法和半導體結構”的專利，公開號 CN 119255616 A，申請日期為 2024 年 9 月。

專利摘要顯示，本申請實施例公開了一種半導體結構的制造方法和半導體結構。制造方法包括：提供襯底，并在襯底上形成器件材料層;在器件材料層上，形成阻擋層;在阻擋層上形成圖案化的第一掩膜;基于第一掩膜進行刻蝕，在阻擋層中形成沿第一方向延伸的多條第一溝槽;去除第一掩膜;在阻擋層上形成圖案化的第二掩膜;基于第二掩膜進行刻蝕，在阻擋層中形成沿第一方向延伸的多條第二溝槽;去除第二掩膜;以阻擋層為掩膜進行刻蝕，將器件材料層刻蝕形成沿第一方向延伸的多條存儲單元線。

天眼查資料顯示，新存科技(武漢)有限責任公司，成立于2022年，位于武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本1656.3515萬人民幣，實繳資本1257.59萬人民幣。通過天眼查大數據分析，新存科技(武漢)有限責任公司共對外投資了5家企業，參與招投標項目3次，專利信息58條。

(關鍵字：半導體)