據(jù)國(guó)家發(fā)改委網(wǎng)站5月6日公布，為推動(dòng)我國(guó)新型平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，落實(shí)“寬帶中國(guó)”戰(zhàn)略，國(guó)家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部擬組織實(shí)施新型平板顯示和寬帶網(wǎng)絡(luò)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)。

支持的重點(diǎn)包括：

（一）新型平板顯示領(lǐng)域

1、高世代（6代及以上）薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求：驅(qū)動(dòng)電壓≤7V，響應(yīng)時(shí)間≤15ms，電阻率≥1×1013Ω？cm，單體純度>99.90%，粘度<20mPa?s；申報(bào)單位已實(shí)現(xiàn)年銷售量大于1噸。

2、有源有機(jī)發(fā)光顯示（AMOLED）用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求：尺寸≥650mm×750mm，最小開口尺寸25μm，開口精度≤±3μm，開口間距≤50μm，定位精度≤±5μm；申報(bào)單位已實(shí)現(xiàn)年銷售量大于80套。

3、AMOLED用高性能、長(zhǎng)壽命有機(jī)藍(lán)色電致發(fā)光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求：達(dá)產(chǎn)后形成年產(chǎn)發(fā)光材料25公斤、其他材料500公斤的生產(chǎn)能力，其中：藍(lán)光材料色度坐標(biāo)達(dá)到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs；電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時(shí)間法測(cè)試，遷移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg≥130℃；驅(qū)動(dòng)電壓低于4V情況下，對(duì)應(yīng)器件特性指標(biāo)LT95壽命要求紅、綠（>5000cd/m2）≥3000小時(shí)，藍(lán)（>500cd/ m2）≥1000小時(shí)；實(shí)驗(yàn)片發(fā)光區(qū)面積3mm×3mm。

4、高分辨率面板驅(qū)動(dòng)IC研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上電視面板、300PPI（每英寸像素?cái)?shù)目）及以上手機(jī)面板，并可根據(jù)面板廠商要求提供不同接口技術(shù)。

5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求：可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料，成膜非均勻度≤±3%，基板處理能力≥20片/小時(shí)。

6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化

要求：靶材利用率>75%，薄膜非均勻性<5%，可制備ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、鋁、鉬等薄膜材料。

7、AMOLED蒸鍍?cè)O(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

要求：最大

(關(guān)鍵字：國(guó)家發(fā)改委 寬帶中國(guó))