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1、光電轉化率：
砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。目前，硅電池的理論效率大概為23%，而單結的砷化鎵電池理論效率達到27%，而多結的砷化鎵電池理論效率更超過50%。
2、耐溫性
常規上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，有實驗數據表明，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作，但是硅光電池在200℃就已經無法正常運行。
3、機械強度和比重
砷化鎵較硅質在物理性質上要更脆，這一點使得其加工時比容易碎裂，所以，目前常把其制成薄膜，并使用襯底（常為Ge[鍺]），來對抗其在這一方面的不利，但是也增加了技術的復雜度。
