2024 年 12 月 23 日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，納維達(dá)斯半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“GaN 半橋電路和 GaN 自舉電源電壓發(fā)生器電路”的專利，公開號(hào) CN 119154647 A，申請(qǐng)日期為 2020 年 4 月。

專利摘要顯示，公開了 GaN 半橋電路和 GaN 自舉電源電壓發(fā)生器電路。該電路包括配置為供應(yīng)第一電源電壓的自舉電源電壓發(fā)生器，并且包括開關(guān)節(jié)點(diǎn)。該電路還包括自舉晶體管、自舉晶體管驅(qū)動(dòng)電路以及與開關(guān)節(jié)點(diǎn)和自舉晶體管連接的自舉電容器。自舉電容器被配置為在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓等于第二開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓時(shí)供應(yīng)第一電源電壓，自舉晶體管被配置為在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處的電壓等于第開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓時(shí)將自舉電容器與處于第二電源電壓的電源節(jié)點(diǎn)電連接，并且自舉電源電壓發(fā)生器不包括與自舉晶體管的漏極和源極并聯(lián)的獨(dú)立二極管。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)